真（zhēn）空鍍膜設備基本技術要求

      1、設備中的真空管道、靜態密封零部件（法蘭、密封圈等）的結構形式，應符合GB/T6070的規定。

　　2、在低真空（kōng）和高真空管道上及真空鍍膜室上應安裝真空測（cè）量規管，分別測量（liàng）各部位的真空（kōng）度。當發現電場對（duì）測量造成幹擾時，應在測量口（kǒu）處安裝電場屏蔽裝置。

　　3、如果設（shè）備（bèi）使用的主泵為擴散泵時，應在泵的進氣口一側裝設（shè）有油蒸捕集阱。

　　4、設備的鍍膜室應（yīng）設有觀察（chá）窗，應設有擋板裝置。觀察窗（chuāng）應能觀察到沉積源的工作情況以及（jí）其他（tā）關鍵部位。

　　5、離子鍍沉積（jī）源的設計應盡可能提高鍍膜過程中的離化率，提高鍍膜材料的利用（yòng）率，合理（lǐ）匹配沉積源的功率，合理布（bù）置沉積源在真空室體的（de）位置。

　　6、合理布（bù）置加熱（rè）裝置，一般加熱器結構布局應使被鍍工件溫升均勻一致。

　　7、工件架應與真空室體絕緣，工件（jiàn）架的設計應使工件膜層均勻。

　　8、離子鍍膜設備一般應具有工件負偏（piān）壓和離子轟擊（jī）電源，離子轟擊電源（yuán）應具有抑製非正常放電（diàn）裝置（zhì），維（wéi）持工作穩定。

　　9、真空室接不同電位的各部分（fèn）間的絕緣電阻值的大小，均按GB/T11164-1999中的4.4.6

　　10、其他（tā）注意事項

　　1）環境溫度：10-30oC

　　2）相對（duì）濕度：不（bú）大於75%

　　3）冷卻水進水溫度：不高於25oC

　　4）冷卻水質：城市（shì）自來水或相當質量的水。

　　5）供電電源：380V三相50Hz或220V單相50Hz(由所用電器（qì）需要而定)；電壓波（bō）動（dòng）範（fàn）圍：342-399V或198-231V；頻率波動範圍：49-51Hz。

　　6）設備所需的壓縮空氣，液氮，冷水、熱水（shuǐ）等的（de）壓力、溫度，消耗量等，均應在產品使用說明書中寫明。

　　7）設備周圍環境整潔，空氣清潔，不應有引起電器（qì）及其他金屬件表（biǎo）麵腐蝕或引（yǐn）起金屬間導電的塵埃或氣體存在。

　　標簽：真（zhēn）空鍍膜電源