電弧蒸發源和多弧離子鍍膜機的優點是什麽

電弧離子鍍的原理是在冷陰極真空弧光放電的理論的基礎上（shàng）研究出來的。而多弧離子鍍（dù）膜（mó）機的核心技術是它的電弧蒸發源（yuán），多弧離子鍍膜機的蒸發源是一種比較特殊的冷陰（yīn）極電弧放電的自蒸發、自電離（lí）式（shì）的一種固體型蒸（zhēng）發源。

　　相較於（yú）傳統的蒸發源，多弧離子鍍膜機的電（diàn）弧蒸發源的特點明顯：

　　鍍膜（mó）膜層致密度高，膜層（céng）壽命長、強度（dù）高；

　　作為固體型的電弧蒸（zhēng）發源，可改變其形狀、大小及位置；

　　運（yùn）行真空範圍（wéi）大；

　　更高的離子能量；

　　可達60％-80％的高離化率；

　　高沉積速率，如（rú）TiN，可（kě）做到100nm/s~1000nm/s的高沉積速率。

　　多弧離子鍍膜（mó）機的電弧（hú）蒸發源（yuán）原理是通過一個冷陰極自（zì）持（chí）電弧放電，是一種場致發射。蒸發（fā）源的典型的基（jī）本配置為：受鍍基材與陰極相接（jiē），陽極接真空室（shì），待真（zhēn）空室抽（chōu）到到高些的真空狀態、觸發電極啟動器接觸（chù）打開，形成一個穩定的電弧放電於陽極和陰（yīn）極之間，而在陰極的表麵（miàn）覆蓋有很多（duō）快速移（yí）動的陰極斑，斑直徑（jìng）在（zài）1μm到兩微米之間，還有直徑約10μm的光斑，有（yǒu）每（měi）秒移動幾十米（mǐ）的速度（dù），電流之（zhī）間密度為（wéi）10 ? A/cm?-10 ? A/cm?，極間電壓也降低到20V-40V之間。於陰極斑的前麵是（shì）一些等離子體，電子飛速移至陽極，離子是處（chù）於一種相（xiàng）對靜止在鍍膜空（kōng）間中，陰極斑前方的正離（lí）子集合成正空間電荷，於陰極表麵附（fù）近（jìn）形成10 ? v/cm?10 ? v/cm的（de）高強度電場，用（yòng）以克服在陰極的（de）勢壘，以強（qiáng）電子發射來維持放電，但一些離子因為（wéi）被陰（yīn）極轟擊而導致了陰極斑的局部快速蒸發、離化，從而使陰極斑變為微點的（de）蒸發源。在陰極靶的範圍內，由於絕緣屏蔽和磁場的作用而使這些微點蒸發源在該範圍內做無（wú）規則運動，也就形成了均勻的大麵積蒸發源。

　　所（suǒ）謂多弧離（lí）子鍍（dù）膜機就是用多個電弧蒸發源為核心的一種離子鍍膜設備，通常又叫多弧鍍（dù）膜、弧鍍、電弧鍍膜等。相較於其他鍍膜工藝，它具備的（de）特點有：

　　機械整體簡單、設備生產效率高、工（gōng）作（zuò）周期短（duǎn）、適合大批量的（de）工業（yè）化生產。

　　較大的（de）鍍膜空間。 電弧蒸發源（yuán）為固態，可靈活（huó）放（fàng）置，所以工件在裝卡更換時更加簡單，無（wú）需附加加熱器使用。

　　工藝範圍廣。適合在較高真空（kōng）或較低環境溫度（200?C）下做反應鍍、離子鍍。

　　具備優異的膜性能。工件的（de）轟擊加熱（rè）、清潔和沉積交由離化金屬（shǔ）等離子體轟（hōng）擊完成，實現（xiàn）“一（yī）弧三用”，且膜層結構致密性高，膜層與鍍件牢固結合（hé）。

　　標簽：多弧鍍膜電（diàn）源