電弧蒸（zhēng）發源和多（duō）弧離子鍍膜機的優（yōu）勢有哪（nǎ）些

相較於傳統的蒸發源，多弧離子鍍膜機的電弧蒸發源的優（yōu）勢明顯：

　　鍍膜膜層致密度高，膜層壽命長、強度高；

　　作為固體型的電弧蒸發源，可（kě）改變其形狀（zhuàng）、大小（xiǎo）及位置；

　　運行真（zhēn）空範圍大；

　　更高的離子能量；

　　可達60％-80％的高離化率；

　　高沉積速率，如TiN，可做到100nm/s~1000nm/s的高沉積（jī）速率。

　　多弧離子鍍膜機的電弧蒸發源原理是通過一個冷陰極自持電弧放電，是一（yī）種場致發射。蒸發源的典型（xíng）的基本配置為：受鍍基材（cái）與陰極相接，陽極接真空室（shì），待（dài）真空室抽到到高些（xiē）的真空狀態、觸發電（diàn）極啟動器接觸打開，形成一（yī）個穩定的電弧放電於陽極和陰（yīn）極之間，而在陰極的表麵覆蓋有很多快速移動的陰極斑（bān），斑直徑在1μm到兩微米之間，還有直徑約10μm的光斑，有每秒移動幾十米的速度，電流之間（jiān）密度為10 ? A/cm?-10 ? A/cm?，極間電壓也降低到20V-40V之間（jiān）。於陰極斑的前麵是一些等離子（zǐ）體，電（diàn）子飛速移至陽極，離子是處於一種相對靜止在鍍（dù）膜空間中，陰極斑前方的正離子集合成正空間電荷，於陰極表麵附近形成10 ? v/cm?10 ? v/cm的高強度電場（chǎng），用以克服在陰極（jí）的勢壘，以強（qiáng）電子發射來維持放電，但一些離子（zǐ）因為被陰極轟擊而導致了陰極斑的局部快速蒸發、離化，從而使陰極斑變為微（wēi）點的蒸發源。在陰極靶的範圍內，由於（yú）絕緣屏蔽和（hé）磁場的作用而使這些微點蒸發源在該範圍內做無（wú）規則運動，也就形成（chéng）了均勻的大麵積蒸發源。

　　所謂多弧離子鍍膜機就是用多（duō）個電弧（hú）蒸發源為核心的一種離子（zǐ）鍍膜設（shè）備，通常又（yòu）叫多（duō）弧鍍膜、弧鍍（dù）、電弧鍍膜等。相較於其他鍍膜工藝，它具備的優勢有：

　　機械整體簡單、設備生（shēng）產效（xiào）率高、工作（zuò）周期短（duǎn）、適合大批量的工業化生（shēng）產。

　　較（jiào）大的鍍（dù）膜空間。 電弧蒸發（fā）源為固態，可靈活放置，所以工件在裝（zhuāng）卡更換時更加簡單，無需附加加熱（rè）器使用。

　　工藝範圍（wéi）廣。適（shì）合在較高真空或較低環境溫度（200?C）下做反應鍍、離子鍍。

　　具備優（yōu）異的膜（mó）性能。工件（jiàn）的轟擊加熱、清潔和沉（chén）積（jī）交由離化金屬等離子體轟擊完成，實現“一弧三用”，且膜層結構致密性高，膜層與鍍件牢（láo）固結合。

　　標簽：多（duō）弧鍍膜電源