磁控（kòng）濺（jiàn）射（shè）原理的原理是什（shí）麽（me）？

　　電子在電場的作用下加速飛向基片的過程（chéng）中與氬原子發生碰（pèng）撞，電離出大量的氬離子和電子，電子飛向基片。氬離子在電場（chǎng）的作用（yòng）下加速轟擊靶材，濺射出大（dà）量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜（mó）。二次電子在加速（sù）飛向基片（piàn）的過程中受到磁（cí）場洛侖磁力的影響，被束（shù）縛在（zài）*近（jìn）靶麵的等離子體區（qū）域內，該區域（yù）內（nèi）等離子體密度很高，二次電子在磁場的作用下圍繞靶麵作圓周運動，該電子的運動路徑（jìng）很長，在運動過程中不斷的與氬原子發生碰撞電離出大量（liàng）的氬離子（zǐ）轟擊靶材（cái），經過多次碰（pèng）撞後電子的能量（liàng）逐漸降低，擺脫磁力線的束縛，遠離靶材，最終沉積在基片上。
　　磁控濺射就是以磁場束縛和（hé）延長（zhǎng）電子的運（yùn）動路徑，改變電子的運動方向，提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量。
　　電子的歸宿不僅僅是基片，真空室內壁及靶源陽極也是電子（zǐ）歸（guī）宿。但一（yī）般基片與真（zhēn）空室及陽極在同一電勢。磁場與（yǔ）電場的交互作用（E X B shift）使單個電子軌跡呈三（sān）維螺旋狀，而不是僅僅在靶麵圓周運（yùn）動。至（zhì）於靶麵圓（yuán）周型的濺射輪廓，那是靶源磁場磁力線呈（chéng）圓周（zhōu）形狀形狀。磁力線分布方向（xiàng）不同（tóng）會對成膜有很（hěn）大關係。
　　在E X B shift機理下工作的不光磁控濺射，多弧鍍靶源，離（lí）子源，等離子源等都在次原（yuán）理下工作（zuò）。所（suǒ）不同的是電場方向，電壓電流大小而已。
　　標簽：中（zhōng）頻磁控濺射電源